Карбід кремнію (SiC) є основним матеріалом складних напівпровідників третього покоління. Завдяки таким фізичним властивостям, як сильне електричне поле пробою, висока теплопровідність і широка заборонена зона, він долає межі продуктивності традиційних силових пристроїв на основі кремнію та є основним компонентом для сценаріїв високої напруги та високої потужності, таких як нові транспортні засоби на енергії, обчислювальні блоки живлення зі штучним інтелектом, фотоелектричні накопичувачі енергії та залізничний транспорт. У 2025 році галузь зазнала надлишку потужностей і глибокого клірингу через цінові війни. Починаючи з четвертого кварталу 2025 року, галузь відкриває структурну точку перегину. Високоякісні підкладки та пристрої для автомобільної промисловості та штучного інтелекту вступають у цикл дефіциту, тоді як пропозиція недорогих продуктів загального призначення залишається слабкою, демонструючи очевидну структурну диференціацію в галузі. Глобальний ринок зберігає високі темпи зростання в довгостроковій перспективі з новими енергетичними транспортними засобами як фундаментальною основою, а обчислювальна інфраструктура ШІ стає другою кривою зростання. Вітчизняний промисловий ланцюг досяг прориву в сегменті підкладок, лідируючи в усьому світі за часткою ринку 8-дюймових підкладок, тоді як сегменти епітаксії, пристроїв і модулів продовжують просувати внутрішні заміни. Однак сертифікація автомобільного рівня, продуктивність, вартість і патентні бар’єри залишаються основними недоліками.
I. Огляд галузі: Основні принципи карбіду кремнію (SiC) і структура промислового ланцюга
1.1 Властивості матеріалу та застосування карбіду кремнію
Карбід кремнію (SiC) — складний напівпровідниковий матеріал, що складається з кремнію та вуглецю, і належить до широкозонних напівпровідників третього покоління. Порівняно з традиційними кремнієвими (Si) матеріалами він має три основні переваги: напруженість електричного поля пробою приблизно в 3 рази більша, ніж у кремнію, що підтримує вищі рівні напруги; теплопровідність приблизно в 3 рази перевищує теплопровідність кремнію, що значно покращує тепловіддачу; і втрати на комутацію нижчі з сильнішою стійкістю до високих температур. У сценаріях перетворення електроенергії високої напруги та великої потужності пристрої живлення з SiC можуть зменшити втрати в системі, зменшити розсіювання тепла та об’єм, а також підвищити ефективність перетворення енергії, що робить їх основним матеріалом для переходу енергії та обчислювальної інфраструктури.
Традиційні кремнієві IGBT (біполярні транзистори з ізольованим затвором) мають суттєві недоліки у втратах і розсіюванні тепла на високовольтних платформах 800 В і вище, тоді як SiC MOSFET (метал-оксид-напівпровідникові польові транзистори з карбіду кремнію) природно підходять для високовольтних платформ 800 В, тому стають основним вибором. для нових високовольтних платформ транспортних засобів. На додаток до силових пристроїв, SiC також можна використовувати в нових напрямках, таких як радіочастотні пристрої та передові пакувальні тепловідвідні підкладки, що відкриває більший ринковий простір.
1.2 Структура промислового ланцюга
Промисловий ланцюг SiC поділяється на три основні сегменти: вихідні підкладки та епітаксія; виробництво проміжних мікросхем, пристроїв і модулів живлення; і подальші програми. Субстрати – це сегмент із найвищою цінністю та найсильнішими технічними бар’єрами в усьому промисловому ланцюжку, на які припадає приблизно 47% від загальної вартості пристроїв, і є основним центром промислової конкуренції.
1. Вгору: підкладки + епітаксія
Підкладки SiC: поділяються на провідний тип (силові пристрої, нові транспортні засоби енергії, накопичувачі енергії, джерела живлення штучного інтелекту) та напівізоляційний тип (радіочастотні пристрої). Основний розмір становить 6 дюймів, галузь переходить до 8 дюймів, а 12 дюймів перейшли на етап перевірки зразків. Більші розміри є основним шляхом до зниження витрат. Площа 8-дюймових підкладок на 78% більша, ніж 6-дюймових підкладок, кількість вирізів на одну пластину збільшується приблизно в 1,8-2 рази, втрати краю зменшуються, а вартість пластини зменшується приблизно на 35%. Основні труднощі при підготовці підкладки полягають у продуктивності росту кристалів, контролі дефектів і масштабуванні розміру. Печі для вирощування кристалів, обладнання для різання, шліфування та полірування є основними капітальними витратами.
Епітаксійні пластини: епітаксійні шари вирощуються на підкладках за допомогою обладнання MOCVD (металоорганічне хімічне осадження з парової фази). Продуктивність пристрою визначається якістю епітаксійного шару, а це ключова ланка, що з’єднує підкладки та виробництво мікросхем.
2. Midstream: виробництво мікросхем, пристроїв, силових модулів
На епітаксіальних пластинах SiC завершуються такі напівпровідникові процеси, як літографія, травлення та іонна імплантація, щоб підготувати мікросхеми, такі як MOSFET і SBD (діоди з бар’єром Шотткі); потім вони упаковуються в силові модулі та постачаються безпосередньо кінцевим виробникам. Іноземні компанії IDM (Integrated Device Manufacturer) (STMicroelectronics, Infineon, Wolfspeed) здебільшого покривають повний ланцюжок від підкладки до епітаксії, пристроїв до модулів; вітчизняні підприємства частіше приймають модель поділу праці, коли компанії-виробники субстратів, епітаксійні заводи, а також компанії з розробки пристроїв і упаковки розвиваються незалежно, тоді як деякі підприємства розвиваються вгору вгору вгору布局.
3. Нижчі програми
Нові енергетичні транспортні засоби є основною колією (головний інвертор, бортовий OBC, DC-DC, бортові зарядні палі); за ними йдуть фотоелектричні інвертори, перетворювачі накопичувачів енергії, промислові джерела живлення, високовольтні джерела живлення серверів ШІ, залізничний транспорт, високовольтні мережі та інфраструктура швидкої зарядки; передовий напрямок — передові пакувальні тепловідвідні підкладки для обчислювальних мікросхем ШІ.
II. Світовий і внутрішній стан промисловості SiC
2.1 Огляд розміру та зростання ринку
Глобальний ринок силових пристроїв із SiC продовжує стрімко зростати. У 2025 році обсяг світового ринку силових пристроїв із SiC становить приблизно 40,691 мільярда юанів. Інституції прогнозують сукупний темп зростання на 20,5% з 2026 по 2032 рік, а розмір ринку досягне 147,968 мільярдів юанів до 2032 року. Open Source Securities прогнозує, що розмір світового ринку SiC досягне 12,4 мільярдів доларів США до 2030 року, причому інфраструктура штучного інтелекту забезпечить майже половину нового попиту, порушуючи минулу структуру зростання, яка покладалася виключно на нові енерготранспортні засоби.
З точки зору структури попиту, транспортні засоби з новою енергією в даний час забезпечують приблизно 61% доходу від пристроїв SiC і є найбільшим ринком застосування. Збільшення проникнення високовольтних моделей на платформі 800 В безпосередньо підвищує вміст SiC на автомобіль; Серверні блоки живлення штучного інтелекту та зарядка фотоелектричних накопичувачів є другою кривою зростання. У минулому ринок загалом визначав SiC як матеріал для нової енергетичної гусениці. Поточна галузева логіка була оновлена до моделі з трьома драйверами: «нові енергетичні транспортні засоби + обчислювальна потужність ШІ + новий накопичувач енергії».
2.2 Структура попиту та пропозиції: глибоке очищення у 2025 році, структурний дефіцит у 2026 році
З 2021 по 2024 роки великі обсяги внутрішнього капіталу влилися в доріжку SiC, і було зосереджено запущено велику кількість проектів із 6-дюймовими підкладками. Потужності промисловості швидко розширювалися. У поєднанні з періодичним попитом, який не виправдовував очікувань у галузі нових енерготранспортних засобів у 2025 році, галузь вступила в запеклі цінові війни. Ціни на підкладки низького класу та пристрої загального призначення різко впали, багато малих і середніх виробників зазнали збитків, а галузь увійшла в цикл очищення потужностей. Використання потужностей низького класу значно знизилося, і деякі виробники покинули ринок.
Починаючи з четвертого кварталу 2025 року, структура попиту та пропозиції змінилася, але це був не повний дефіцит пропозиції, а скоріше структурний дефіцит: (1) Постачання високоякісних електропровідних підкладок, епітаксії та MOSFET модулів автомобільного класу та штучного інтелекту є обмеженими. Завантаження виробничих потужностей провідних виробників підкладок відновилося до рівня понад 90%, ціни на 6-дюймові підкладки досягли найнижчого рівня та відскочили, а ціни на 8-дюймові підкладки перестали падати та почали рости; зарубіжні виробники IDM Infineon і STMicroelectronics, а також вітчизняні компанії, такі як Yangjie Technology, послідовно підняли ціни на пристрої. Терміни доставки для пристроїв із SiC для серверних блоків живлення штучного інтелекту подовжені приблизно до 30 тижнів, а ціни зросли більш ніж на 15% порівняно з кінцем 2025 року. (2) Постачання низькоякісних підкладок із низькими показниками дефектів, які не можуть пройти сертифікацію автомобільного класу, і промислових пристроїв загального призначення залишається надлишковим, і ціни продовжують відчувати тиск.
Основний результат цього раунду перебудови галузі: галузева конкуренція змінилася від простої конкуренції за масштабом потужності до всеосяжної конкуренції за продуктивність, контроль дефектів, сертифікацію автомобільного класу, стабільну поставку та контроль витрат. Концентрація промисловості продовжує зростати, і провідні підприємства виграють.
2.3 Глобальне конкурентне середовище
Традиційні закордонні гіганти мають першорядні переваги та в основному використовують модель IDM: Wolfspeed (Сполучені Штати, раніше Cree), ROHM (Японія), STMicroelectronics (ST), Infineon (Infineon) і onsemi. Зарубіжні виробники мають глибокий досвід у патентах на підкладку, сертифікації споживачів для автомобільного рівня, процесах пристроїв і упаковці модулів і вже давно займають основну частку світового ринку силових пристроїв.
Вітчизняні підприємства досягли серйозних проривів у сегменті субстрату. У 2025 році вітчизняні підприємства досягли світового лідерства в галузі провідних підкладок. Глобальна частка Tianyue Advanced на ринку 8-дюймових підкладок SiC перевищила 50%, а світова частка 6-дюймових провідних підкладок посіла перше місце. Tianyue Advanced і Tianke Heda разом займають частку ринку провідних підкладок, що перевищує частку Wolfspeed. Постачання підкладок SiC у Китаї становить приблизно 50% загального світового обсягу та є першим у світі. Вітчизняні сегменти епітаксії, пристроїв і модулів все ще знаходяться на стадії надолуження. Вітчизняні виробники пристроїв все ще відстають від закордонних лідерів у сертифікації автомобільного класу, надійності та можливості стабільної доставки партій. П'ять провідних виробників на внутрішньому ринку силових пристроїв разом займають 70,4% частки ринку, причому всі трійка лідерів є закордонними підприємствами, тоді як вітчизняні виробники все ще мають відносно низьку ринкову частку.
Представницькі підприємства в кожному сегменті вітчизняного промислового ланцюга: (1) Субстрати: Tianyue Advanced, Tianke Heda, Luxshare Technology; (2) Епітаксія: Tianyue Advanced, San'an Optoelectronics, Changfei Advanced; (3) Пристрої/модулі: StarPower Semiconductor, Times Electric, Silan Microelectronics, Yangjie Technology, Basic Semiconductor; (4) Вихідне обладнання: Jingsheng Mechanical & Electrical (печі для вирощування кристалів), Jingsheng Equipment, AMEC (обладнання для епітаксії MOCVD).
2.4 Внутрішнє політичне середовище
Як ключовий напрям напівпровідників третього покоління та нових якісних продуктивних сил, карбід кремнію належить до стратегічного напрямку автономності та керованості вітчизняних напівпровідників. Національний «14-й п’ятирічний план» і «15-й п’ятирічний план» продовжують підтримувати індустріалізацію напівпровідникових матеріалів і пристроїв третього покоління, і багато місцевостей заснували спеціальні промислові фонди для надання субсидій на будівництво виробничих ліній, інвестиції в дослідження і розробки та проекти індустріалізації. У той же час внутрішня промислова політика щодо нових енергетичних транспортних засобів, фотоелектричних накопичувачів енергії та обчислювальної інфраструктури опосередковано стимулює попит на SiC. Дивіденди політики прискорюють перевірку та запровадження внутрішніх ланцюгів постачання, але галузеві субсидії поступово переходять від субсидій на потужності до високоякісних показників, таких як дослідження та розробки, підвищення врожайності та сертифікація автомобільного класу.
III. Аналіз попиту на нижній течії: три основні шляхи руху, реструктуризація логіки зростання
3.1 Нові енергетичні транспортні засоби: фундаментальна основа галузі, платформи 800 В підвищують цінність кожного транспортного засобу
Нові електромобілі залишаються найбільшим джерелом попиту на SiC. У традиційних платформах 400 В переважають IGBT на основі кремнію; Високовольтні платформи 800 В мають такі переваги, як швидка зарядка, зменшення ваги та покращений радіус дії, а МОП-транзистори SiC стали основним рішенням. Пристрої SiC використовуються в таких компонентах, як головний інвертор, бортовий OBC, DC-DC і бортовий зарядний пристрій, і значення SiC для автомобіля значно вище, ніж у рішень на основі кремнію 400 В.
Основні світові автовиробники, такі як Tesla, BYD, NIO, XPeng, Volkswagen і Mercedes-Benz, продовжують впроваджувати рішення SiC у моделях високого класу. Оскільки моделі на платформі 800 В переходять у моделі середнього класу, проникнення SiC продовжуватиме зростати. У короткостроковій перспективі індустрія нових енергетичних транспортних засобів стикається з тиском коливань продажів, але середньо- та довгострокова тенденція електрифікації є певною. Зростаюче поширення платформ 800 В є основною лінією, яка постійно стимулює попит на пристрої з SiC.
3.2 Блоки живлення центрів обробки даних зі штучним інтелектом: друга крива зростання, зміна стелі галузі
Обчислювальні кластери великої моделі штучного інтелекту вимагають потужних джерел живлення для серверів, а модернізація архітектур високовольтних джерел живлення для серверів ШІ створює значний попит на SiC. Серед традиційних серверних джерел живлення переважають пристрої на основі кремнію. Потужні джерела живлення високої щільності штучного інтелекту висувають вищі вимоги до втрат, розсіювання тепла та щільності потужності. Пристрої з SiC можуть значно зменшити втрати живлення, зменшити обсяг джерела живлення та знизити тиск розсіювання тепла. Open Source Securities прогнозує, що до 2030 року інфраструктура ШІ забезпечуватиме майже половину ринкового попиту на SiC, ставши найважливішим додатковим джерелом у галузі.
Передовий напрямок: SiC як підкладка з високою теплопровідністю для вдосконаленої упаковки CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate), яка використовується для розсіювання тепла HBM (High Bandwidth Memory), що підтримує обчислювальні мікросхеми. Якщо індустріалізація буде реалізована, SiC перетвориться з матеріалу для енергетичних пристроїв на функціональний матеріал для вдосконаленої упаковки, що значно підвищить вартість чіпа та відкриє абсолютно новий ринковий простір. Однак цей напрямок ще знаходиться на етапі перевірки вибірки замовника, а індустріалізація несе в собі невизначеність.
3.3 Фотоелектричне накопичення енергії, промисловість і залізничний транспорт: стабільне зростання
Глобальні фотоелектричні установки та накопичувачі енергії продовжують зростати. Централізовані інвертори, струнні інвертори та накопичувачі енергії PCS поступово переходять від рішень на основі кремнію до рішень SiC, покращуючи щільність потужності інвертора та ефективність перетворення. Промислові двигуни, високовольтні джерела живлення, залізничний транспорт і високовольтна електропередача — це середньо- та довгострокові стабільні вимоги, що характеризуються тривалими циклами сертифікації, стабільними замовленнями та тривалим життєвим циклом із надзвичайно високими вимогами до надійності пристроїв.
IV. Шлях ітерації технології та середньо- та довгостроковий прогноз розвитку
4.1 Короткостроковий період (2026-2028): широкомасштабне впровадження 8-дюймових пристроїв, підвищення врожайності + скорочення витрат, прискорена сертифікація автомобільного рівня
У наступні 2-3 роки основним напрямком галузі буде оптимізація 6-дюймової ємності та масштабне нарощування 8-дюймової підкладки, ліній виробництва епітаксії та пристроїв. 8 дюймів — основний розмір галузі протягом наступних 3-5 років. Провідні вітчизняні виробники підкладок продовжуватимуть розширювати виробничі лінії для 8-дюймових пластин, щоб знизити вартість однієї пластини.
Основне протиріччя в галузі перемістилося від «чи є потужність» до «підвищення врожайності, контролю дефектів і посадки замовників автомобільного рівня». Велика кількість вітчизняних компаній, що займаються виробництвом пристроїв, прискорюють AEC-Q100 сертифікацію автомобільного класу для виробників автомобілів, споживачів накопичувачів енергії та джерел живлення зі штучним інтелектом. У міру того, як продуктивність продовжує підвищуватися, собівартість одиниці пристроїв на SiC продовжує знижуватися, що сприяє проникненню SiC від моделей високого класу до моделей середнього класу та від високоякісних блоків живлення до звичайних промислових джерел живлення.
Пропозиція: після звільнення потужностей у 2025 році темпи розширення нових потужностей сповільнюються, а темпи випуску нових потужностей нижчі за зростання попиту. Високоякісна продукція автомобільного рівня зберігає жорсткий шаблон, і галузь входить у цикл зростання обсягів і цін; підкладки низького класу та пристрої загального призначення продовжують стикатися з конкуренцією, а малі та середні виробники, яким не вистачає продуктивності та сертифікації клієнтів, продовжують знищуватися, що ще більше збільшує концентрацію галузі.
4.2 Середньострокова перспектива (2029-2032): 8 дюймів стає абсолютним мейнстрімом, 12-дюймова індустріалізація починається, внутрішня заміна входить у глибоководну зону
Продуктивність 8-дюймової виробничої лінії продовжує оптимізуватись, витрати значно падають, а проникнення SiC у нові енерготранспортні засоби, накопичувачі енергії та джерела живлення штучного інтелекту значно зростає. Внутрішній сегмент субстрату підтримує глобальну конкурентоспроможність; прискорюється заміщення внутрішнього виробництва в сегментах епітаксії, пристроїв і модулів, і вітчизняні виробники IDM поступово входять у ланцюги поставок провідних зарубіжних автовиробників і виробників комп’ютерних блоків живлення.
12-дюймові підкладки SiC переходять на етап індустріалізації. Такі компанії, як Tianyue Advanced, уже надіслали зразки 12-дюймових продуктів, націлених на передові пакувальні підкладки для розсіювання тепла та сценарії надпотужних пристроїв. 12 дюймів ще більше знижує вартість пластини, але інвестиції в обладнання та складність процесу вищі, а темпи індустріалізації повільніші, ніж у 8 дюймів.
Глобальний ринок швидко розширюється, і частка додаткового внеску обчислювальних джерел живлення ШІ продовжує зростати. Зростання ринку SiC більше не залежить повністю від коливань циклу нових енергетичних транспортних засобів, а численні сценарії нижньої течії хеджують ризик циклу однієї галузі.
4.3 Довгострокова перспектива (після 2032 року): технологія розвивається, витрати різко падають, перехід на стадію широкомасштабної популяризації
Вартість пристроїв на основі SiC продовжує знижуватися, поступово замінюючи пристрої на основі кремнію в сценаріях із більшою середньою та низькою напругою, а сценарії застосування поширюються на побутову техніку та споживчі блоки живлення. 12-дюймові підкладки з SiC досягають великомасштабного масового виробництва. Ландшафт глобального промислового ланцюга має тенденцію до стабільності, і Китай формує повну, автономно керовану промислову екосистему SiC із глобальною конкурентоспроможністю по всьому ланцюгу від підкладок, обладнання, епітаксії та мікросхем до модулів. У той же час потенційна конкуренція існує на технологічних маршрутах. Широкозонні матеріали нового покоління, такі як оксид галію (Ga₂O₃), становлять потенційну загрозу заміщення в конкретних сценаріях високої напруги, але в середньостроковій та довгостроковій перспективі вони навряд чи перевернуть основні позиції SiC у силових напівпровідниках.
V. Інвестиційна логіка та вибір шляху (індустрія/інвестиційний капітал)
Трек SiC є капіталомістким, технологічно інтенсивним і довгим циклом перевірки. Інвестиції не можуть просто дивитися на масштаб потужності; суть полягає в доходності, індикаторах дефектів, сертифікації клієнтів, грошових потоках і кривій витрат. Після перебудови галузі 2025 року інвестиційна логіка змінилася від «розширення потужностей» до «технічних бар’єрів + клієнтських бар’єрів».
5.1 Аналіз інвестиційних пріоритетів за сегментами промислових мереж
1. Сегмент провідних субстратів: надавайте перевагу підприємствам з високопродуктивних провідних субстратів автомобільного класу
Субстрати – це сегмент із найвищою цінністю та найсильнішими бар’єрами в усьому промисловому ланцюзі, а також єдиний сегмент, у якому Китай досяг світового лідерства. Основні інвестиційні показники: продуктивність провідної підкладки, щільність дефектів мікротрубки, можливість масового виробництва 8 дюймів, сертифікація замовника та власне обладнання для вирощування кристалів. Підприємства-субстрати, які можуть виробляти лише продукцію з низьким показником дефектів і не можуть увійти в ланцюги поставок автомобільного рівня, мають низьку довгострокову прибутковість і є цілями з високим ризиком. Обладнання для вирощування кристалів, різання, шліфування та полірування пропонує можливості внутрішньої заміни, а виробники обладнання отримують вигоду від постійного розширення внутрішніх ліній виробництва підкладок.
2. Сегмент епітаксії: зосередьтеся на підприємствах з епітаксії зі стабільними серійними поставками та сумісністю з МОП-транзисторами автомобільного класу
Якість епітаксії безпосередньо визначає надійність пристрою, а епітаксія автомобільного рівня має високі технічні бар’єри. Заводи епітаксії потребують глибокої співпраці з заводами субстратів і заводами пристроїв. Підприємства зі стабільною товщиною епітаксійного шару та можливостями допінг-контролю мають довгострокову цінність.
3. Проміжні пристрої та модулі живлення: зосередьтеся на позначеннях автомобільного класу, перевірці надійності та можливостях упаковки
Сегмент пристроїв має найглибший рів для заокеанських гігантів, з тривалими циклами сертифікації (сертифікація автовиробника зазвичай займає 2-3 роки). Пріоритет для інвестицій слід віддавати підприємствам, які вже отримали сертифікати від провідних автовиробників, споживачів джерел живлення зі штучним інтелектом і накопичувачів енергії та мають AEC-Q100 сертифікацію; Упаковка силових модулів є внутрішньою слабкою стороною, а високонадійні процеси пакування та передові технології пакування, такі як спікання срібла, пропонують інвестиційні можливості. Підприємства без фабричних матеріалів із чистим дизайном і без власних виробничих ліній стикаються з ризиками через постачання субстрату та коливання процесу.
4. Завершення застосування: зосередьтеся на підприємствах із джерел живлення та електронного керування з можливостями проектування системи SiC Solution
Цінність виробників систем полягає не лише в купівлі пристроїв, але й у володінні можливостями системного застосування, розсіювання тепла та алгоритму керування для пристроїв із SiC, які можуть максимізувати переваги ефективності SiC. Надавайте перевагу провідним підприємствам у галузі електронного керування 800 В, серверних джерел живлення штучного інтелекту та накопичувачів енергії PCS.
5.2 Інвестиційні стратегії
Основні інвестиції в акціонерний капітал: надавайте пріоритет компонуванню в сегментах із високим бар’єром, таких як підкладки, передове обладнання, автомобільна епітаксія та модулі живлення; уникайте проектів низького класу субстратів, які залежать лише від низьких цін і низького прибутку. Надати пріоритет підприємствам, які завершили доставку зразків і перевірку призначення з провідними клієнтами та мають стійкі інвестиції в дослідження та розробки; будьте обережні щодо проектів, які ще не пройшли перевірку клієнта та залишаються лише на етапі зразка.
Промислові інвестиції: підходить для вертикальної інтеграції промислового ланцюга. Автовиробники, підприємства, що займаються накопиченням енергії та обчислювальними джерелами живлення, можуть заблокувати потужність підкладки та епітаксії, щоб забезпечити безпеку ланцюга постачання та захиститися від ризиків зриву ланцюга постачання за кордоном.
Фокус оцінки: галузь знаходиться в циклі розширення, і підприємства, як правило, мають високі авансові капітальні витрати та відставання прибутковості. Оцінку PE не можна використовувати спрощено; зосередьтеся на відстеженні прогресу збільшення врожайності, вартості одиниці пластини, замовлень клієнтів, використання потужностей і грошових потоків.
VI. Попередження про ризики основної галузі
6.1 Ризик того, що попит на нижній течії не виправдає очікувань
Якщо продажі нових транспортних засобів з енергоспоживанням і поширення моделей 800 В впадуть нижче очікувань, попит на SiC буде безпосередньо знижений; якщо капітальні витрати на сервер штучного інтелекту тимчасово скорочуються, зростання попиту на джерело живлення штучного інтелекту сповільниться. Попит у промисловості SiC глибоко пов’язаний із двома основними циклічними галузями, що потребують великих капіталовкладень, – нової енергетики та обчислювальної потужності, і існує ризик циклічних коливань.
6.2 Ризик технології та врожайності
Рост кристалів SiC і процеси епітаксії є складними. Прогрес у підвищенні врожайності, який не виправдовує очікування, продовжуватиме збільшувати витрати; складність розгону великих 8-дюймових і 12-дюймових виробничих ліній може бути вищою, ніж очікувалося; технологічні прориви в інших широкозонних матеріалах, таких як оксид галію, можуть створити ризик заміни.
6.3 Цінова конкуренція та ризик зниження прибутку
Незважаючи на структурний дефіцит продукції автомобільного класу, якщо протягом наступних 2-3 років у виробництво зосереджено буде запущено велику кількість 8-дюймових підкладок, галузь може знову потрапити в надлишок пропозиції, що спровокує новий виток цінових воєн, скоротить валовий прибуток компаній і змусить багато підприємств залишатися збитковими. Капітальні витрати промисловості величезні, а амортизаційний тиск високий; навіть при зростанні доходів підприємства ще довго можуть залишатися збитковими.
6.4 Патентний і міжнародний торговельний ризик
Закордонні лідери володіють великою кількістю основних патентів на підкладки та пристрої з SiC, а вітчизняні підприємства стикаються з ризиком патентних судових процесів; Контроль за експортом напівпровідників та зовнішні торговельні бар'єри впливають на експансію вітчизняних підприємств на закордонних споживачів та імпорт обладнання та матеріалів.
6.5 Ризик сертифікації
Цикли сертифікації для автомобільних і промислових пристроїв тривалі. Після інвестування значних коштів у дослідження та розробки невдача в сертифікації клієнта або затримка призначення безпосередньо вплинуть на комерціалізацію проекту.
VII. Висновок
У 2025 році карбід кремнію (SiC) як основний компонент складних напівпровідників третього покоління зазнав жорстокого скорочення потужностей і відкриває переломну точку структурного процвітання. Логіка зростання була оновлена від одного приводу нового енергетичного автомобіля до багатоканального резонансу нових енергетичних транспортних засобів + обчислювальних блоків живлення AI + фотоелектричного накопичувача енергії. У короткостроковій перспективі галузь демонструє структурну диференціацію попиту та пропозиції: високоякісна автомобільна продукція відчуває дефіцит, тоді як продукція низького класу продовжує страждати від жорсткої конкуренції; у середньостроковій та довгостроковій перспективі головними напрямками є зниження вартості великомасштабних 8-дюймових екранів і заміна вдома, а обчислювальні джерела живлення штучного інтелекту відкривають довгострокову стелю зростання галузі.
Китайська промислова мережа досягла глобального прориву в сегменті підкладок, у той час як сегменти епітаксії, пристроїв і модулів продовжують наздоганяти, але сертифікація автомобільного рівня, продуктивність, вартість і патенти залишаються основними недоліками. На рівні інвестицій довгостроковий простір для розвитку треку очевидний, але галузь має високі капіталовкладення та довгий цикл верифікації, і вона не підходить для простої гонитви за концепціями потужності. Основні критерії для перевірки інвестиційних цілей: висока прибутковість, низькі показники дефектів, призначення провідних клієнтів, впровадження сертифікації автомобільного класу та контрольована крива витрат. Надавайте перевагу компоновці сегментів із високими бар’єрами, таких як підкладки, обладнання для вирощування кристалів, автомобільна епітаксія та модулі живлення, і уникайте проектів без основних клієнтів, з низькою прибутковістю та покладаючись виключно на масштаб потужності. У той же час необхідно постійно відстежувати ключові змінні, такі як продажі нових транспортних засобів на енергії, капітальні витрати на штучний інтелект, збільшення врожайності 8-дюймових машин, а також закордонні патенти та торгова політика, щоб запобігти циклічним коливанням і ризикам індустріалізації, які не виправдають очікувань.